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SI6954ADQ-T1-E3-VB
N沟道；电压：20V；电流：7.5A；导通电阻：12(mΩ)
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- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- SI6954ADQ-T1-E3-VB
- 商品编号
- C52989058
- 商品封装
- TSSOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.56克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 12mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 800mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 12nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | - | |
| 栅极电压(Vgs) | ±12V |
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