NTE642-HXY

NTE642-HXY

描述

该肖特基二极管为独立式配置，具有2A的平均正向电流（IF）和100V的反向重复峰值电压（VR）。其正向压降（VF）典型值为0.85V，在100V反向电压下漏电流（IR）不超过100μA。器件可承受高达50A的非重复浪涌正向电流（IFSM），适用于对效率和响应速度要求较高的整流与开关场景。低导通压降有助于减少功耗，提升系统能效，适合用于电源转换、适配器及各类电子设备中的续流与保护电路。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

NTE642-HXY

商品编号

C52988680

商品封装

SMB​

包装方式

编带

商品毛重

0.1295克(g)