RB068LAM100TFTR-HXY

RB068LAM100TFTR-HXY

描述

该肖特基二极管采用独立式结构，额定平均正向电流（IF）为2A，最大反向重复峰值电压（VR）达100V。其典型正向压降（VF）为0.85V，在导通状态下功耗较低；反向漏电流（IR）控制在20μA，有助于维持电路的高效率运行。器件可承受高达50A的非重复浪涌正向电流（IFSM），适用于开关电源、电源适配器、电池供电设备及各类需要高效整流和快速响应的电子系统中。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

RB068LAM100TFTR-HXY

商品编号

C52988658

商品封装

SMAF​

包装方式

编带

商品毛重

1克(g)