XBS206S19R-G-HXY

XBS206S19R-G-HXY

描述

该肖特基二极管为独立式结构，额定正向电流（IF）为2A，最大反向重复峰值电压（VR）达60V。其正向压降（VF）为0.7V，有助于降低导通损耗；在反向偏置条件下，漏电流（IR）不超过500μA，具备良好的阻断性能。器件可承受高达50A的非重复浪涌正向电流（IFSM），适用于高频整流、开关电源输出级、便携设备电源管理及各类对效率和热性能有要求的电子电路中。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

XBS206S19R-G-HXY

商品编号

C52988634

商品封装

SMA​

包装方式

编带

商品毛重

0.084克(g)