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PSM8N10R4L
N沟道MOSFET，采用分裂栅沟槽技术，适用于电源管理和高频高效应用
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- 描述
- BSC030N08NS5
- 品牌名称
- Prisemi(芯导)
- 商品型号
- PSM8N10R4L
- 商品编号
- C52976669
- 商品封装
- PDFN-8L(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.142克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.6mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 131.6W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 60.2nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 4.476nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 22pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 623pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
PSM8N10R4L采用分裂栅沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。该器件适用于电源管理以及高开关频率下的高效应用。
商品特性
- 低RDS(ON)——确保导通损耗最小化
- 出色的Qgd × RDS(ON)乘积(品质因数)
- 适用于DC - DC转换器的先进技术
- 小尺寸、热效率高的封装,可实现更高密度的终端产品
- 100% UIS(雪崩)额定值
- 无铅涂层;符合RoHS标准
- 无卤素和锑。“绿色”器件
应用领域
-PWM应用-负载开关-电源管理-DC-DC转换器-无线充电器