U3117SD

半桥功率MOS和IGBT的栅极驱动芯片

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品牌名称: UNI-SEMIC(宇力半导体)
商品型号: U3117SD
商品编号: C52953430
商品封装: SOP-10
包装方式: 编带
商品毛重: 1克(g)

商品参数

	属性	参数值
	传播延迟 tpLH	-
	传播延迟 tpHL	-
	特性	欠压保护(UVP)
	工作温度	-40℃~+125℃
	输入高电平(VIH)	-
	输入低电平(VIL)	-
	静态电流(Iq)	60uA
	功能特性	内置自举二极管；交错导通保护；死区时间控制

商品概述

U3117S(D)/U3118S(D)是一款高压半桥栅极驱动芯片，专为驱动高压、高速功率MOSFET和IGBT而设计。该芯片具备独立的高侧和低侧参考输出通道。其逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。输出级具备大电流脉冲能力，并集成了直通防止和死区时间功能，可有效防止功率管直通，保护功率器件。其浮动通道可用于驱动高压侧N沟道功率MOSFET和IGBT，浮地通道最高工作电压可达+300V。

商品特性

集成自举二极管
高端悬浮自举设计
最高工作电压可达 +300V
具备负瞬态电压承受能力
支持9V至20V的栅极驱动电压
具备VCC/VBS欠压保护
兼容3.3V和5V输入逻辑
内置直通防止和死区时间
具备优化的芯片传输延时特性

应用领域

家用电器
工业应用和驱动器
电机驱动
直流交流转换器
感应加热
暖通空调

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	栅极驱动芯片
	驱动配置	半桥
	负载类型	MOSFET；IGBT
	驱动通道数	2
	灌电流(IOL)	1.5A
	拉电流(IOH)	1.2A
	工作电压	9V~20V
	上升时间(tr)	20ns
	下降时间(tf)	15ns