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GK15N065T2
沟槽场截止型IGBT，高击穿电压，低饱和电压，软电流关断波形
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- 描述
- 商品目录 IGBT；集射极击穿电压(Vces)650V；集电极电流(Ic)30A；耗散功率(Pd)125W；输出电容(Coes输出电容）50pF
- 品牌名称
- LGE(鲁光)
- 商品型号
- GK15N065T2
- 商品编号
- C52766541
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| 耗散功率(Pd) | 125W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 650V | |
| 集电极电流(Ic) | 15A | |
| 集电极脉冲电流(Icm) | 60A | |
| 集电极截止电流(Ices) | 40uA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 1.5V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 5.4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 45nC@520V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | 1.05nF | |
| 输出电容(Coes) | 50pF | |
| 反向传输电容(Cres) | 20pF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 20ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 65ns | |
| 导通损耗(Eon) | 420uJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 90uJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | 50ns | |
| 工作温度 | -40℃~+175℃ |
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- SSD KC600 2TB
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