IMW120R030M1H
IMW120R030M1H
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- 品牌名称Infineon(英飞凌)
商品型号
IMW120R030M1H商品编号
C536280商品封装
TO-247-3包装方式
管装
商品毛重
8.3克(g)
商品参数
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
封装类型 | 单管 | |
沟道类型 | 1个N沟道 | |
配置 | - | |
V(BR)DSS-漏源击穿电压 | 1200V | |
Id-漏极电流(25℃) | 56A | |
Pd-功耗 | 227W | |
Vgs(th)-栅源阈值电压 | 4.5V |
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
RDS(on)-导通电阻(20V) | - | |
RDS(on)-导通电阻(18V) | 30mΩ | |
RDS(on)-导通电阻(15V) | 42mΩ | |
RDS(on)-导通电阻(10V) | - | |
Qg-栅极电荷 | 63nC | |
Ciss-输入电容 | 2120pF | |
Crss-反向传输电容 | 13pF | |
工作温度 | -55℃~+175℃ |
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