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IMW120R030M1H

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  • IMW120R030M1H

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  • 品牌名称Infineon(英飞凌)
  • 商品型号

    IMW120R030M1H
  • 商品编号

    C536280
  • 商品封装

    TO-247-3
  • 包装方式

    管装

  • 商品毛重

    8.3克(g)

  • 商品参数

属性参数值
商品目录碳化硅场效应管(MOSFET)
封装类型单管
沟道类型1个N沟道
配置-
V(BR)DSS-漏源击穿电压1200V
Id-漏极电流(25℃)56A
Pd-功耗227W
Vgs(th)-栅源阈值电压4.5V
属性参数值
RDS(on)-导通电阻(20V)-
RDS(on)-导通电阻(18V)30mΩ
RDS(on)-导通电阻(15V)42mΩ
RDS(on)-导通电阻(10V)-
Qg-栅极电荷63nC
Ciss-输入电容2120pF
Crss-反向传输电容13pF
工作温度-55℃~+175℃

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