我的订单购物车(0)联系客服帮助中心供应商合作嘉立创产业服务群
领券中心备货找料立推专区爆款推荐TI订货PLUS会员BOM配单工业品PCB/SMT面板定制
IMW120R030M1H实物图
  • IMW120R030M1H商品缩略图
  • IMW120R030M1H商品缩略图
  • IMW120R030M1H商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IMW120R030M1H

IMW120R030M1H

SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
描述
特性:极低的开关损耗。 无阈值导通状态特性。 宽栅源电压范围。 基准栅极阈值电压,VGS(th) = 4.5V。 0V关断栅极电压,便于简单的栅极驱动。 完全可控的dV/dt。应用:能源发电。 -太阳能串逆变器和太阳能优化器
商品型号
IMW120R030M1H
商品编号
C536280
商品封装
TO-247-3​
包装方式
管装
商品毛重
8.3克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录碳化硅场效应管(MOSFET)
类型1个N沟道
配置-
漏源电压(Vdss)1.2kV
连续漏极电流(Id)56A
耗散功率(Pd)227W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))4.5V
栅极电荷量(Qg)63nC
输入电容(Ciss)2.12nF
反向传输电容(Crss)13pF
工作温度-55℃~+175℃
导通电阻(RDS(on))30mΩ@18V

商品特性

  • 非常低的开关损耗
  • 无阈值导通状态特性
  • 宽栅源电压范围
  • 基准栅极阈值电压,VGS(th) = 4.5V
  • 0V 关断栅极电压,便于简单的栅极驱动
  • 完全可控的 dV/dt
  • 用于硬换相的稳健体二极管
  • 与温度无关的关断开关损耗

应用领域

  • 能源生产
    • 太阳能串逆变器和太阳能优化器
  • 工业电源
    • 工业 UPS
    • 工业 SMPS
  • 基础设施 - 充电
    • 充电器

数据手册PDF

优惠活动

  • 9.5

    购买数量

    (30个/管,最小起订量 1 个)
    起订量:1 个30个/管

    总价金额:

    0.00

    近期成交16