CD4724BCMX
CD4724BCMX
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- CD4724BCMX
- 商品编号
- C4989463
- 商品封装
- SOIC-16
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.284克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 锁存器 | |
| 逻辑类型 | 可寻址锁存器 | |
| 工作电压 | 3V~15V | |
| 通道数 | 8 | |
| 拉电流(IOH) | 0.88mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 灌电流(IOL) | 0.88mA | |
| 传播延迟(tpd) | 50ns | |
| 工作温度 | -55℃~+125℃ | |
| 建立时间 | 20ns |
商品概述
CD4724BC是一款8位可寻址锁存器，具有三个地址输入（A0 - A2）、一个低电平有效使能输入（E（上划线））、一个高电平有效清除输入（CL）、一个数据输入（D）和八个输出（Q0 - Q7）。 当地址输入对锁存器中的特定位进行寻址且使能（E（上划线））为低电平时，数据将被输入到该位。当使能（E（上划线））为高电平时，数据输入被禁止。 当清除（CL）和使能（E（上划线））均为高电平时，所有输出为低电平。当清除（CL）为高电平且使能（E（上划线））为低电平时，会发生通道解复用。被寻址的位具有跟随数据输入的有效输出，而所有未被寻址的位保持低电平。在可寻址锁存器模式（E（上划线） = CL = 低电平）下操作时，更改地址的多个位可能会导致瞬态错误地址。因此，这仅应在存储模式（E（上划线） = 高电平，CL = 低电平）下进行。
商品特性
- 宽电源电压范围：3.0V ~ 15V
- 高抗噪性：0.45VDD（典型值）
- 低功耗TTL兼容性：可驱动2个74L或1个74LS的扇出能力
- 串行转并行能力
- 存储寄存器能力
- 随机（可寻址）数据输入
- 高电平有效解复用能力
- 通用高电平有效清除