IDT74FCT16841ETPV
IDT74FCT16841ETPV
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- 品牌名称
- RENESAS(瑞萨)/IDT
- 商品型号
- IDT74FCT16841ETPV
- 商品编号
- C4989426
- 商品封装
- SSOP-56
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.7克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 锁存器 | |
| 逻辑类型 | D型锁存器 | |
| 输出类型 | 三态 | |
| 工作电压 | 4.5V~5.5V | |
| 拉电流(IOH) | 32mA | |
| 灌电流(IOL) | 64mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 传播延迟(tpd) | 3.4ns | |
| 系列 | FCT | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 建立时间 | 1ns | |
| 保持时间 | 1ns | |
| 静态电流(Iq) | 5uA |
商品概述
FCT16841AT/BT/CT/ET 20位透明D型锁存器采用先进的双金属CMOS技术制造。这些高速、低功耗锁存器非常适合临时数据存储。它们可用于实现内存地址锁存器、I/O端口和总线驱动器。输出使能（OE）和锁存使能（LE）控制可将每个器件作为两个10位锁存器或一个20位锁存器来操作。信号引脚的直通式结构简化了布局。所有输入均设计有迟滞功能，以提高噪声容限。FCT16841AT/BT/CT/ET非常适合驱动高电容负载和低阻抗背板。输出缓冲器设计有断电禁用功能，以便在用作背板驱动器时实现电路板的“带电插入”。
商品特性
- 0.5微米CMOS技术
- 高速、低功耗CMOS，可替代ABT功能
- 典型tsk(o)（输出偏斜）< 250ps
- 低输入和输出泄漏 ≤ 1μA（最大值）
- 静电放电（ESD）：按照MIL - STD - 883方法3015测试 > 2000V；使用机器模型（C = 200pF，R = 0）测试 > 200V
- 提供25密耳间距SSOP、19.6密耳间距TSSOP、15.7密耳间距TVSOP和25密耳间距CERPACK封装
- 扩展商业温度范围为 - 40°C至 + 85°C
- VCC = 5V ± 10%
- 高驱动输出（-32mA loH，64mA loL）
- 断电禁用输出允许“带电插入”
- 典型Volp（输出接地反弹）在Vcc = 5V、TA = 25°C时 < 1.0V
应用领域
- 内存地址锁存
- I/O端口
- 总线驱动器
- 高电容负载驱动
- 低阻抗背板驱动