IDT74FCT16373TPV

FCT16373T 16位透明 D 型锁存器采用先进的双金属 CMOS 技术制造。这些高速、低功耗锁存器非常适合临时存储数据。它们可用于实现内存地址锁存器、I/O 端口和总线驱动器。输出使能和锁存使能控制可将每个器件作为两个 8 位锁存器或一个 16 位锁存器来操作。信号引脚的直通式结构简化了布局。所有输入均设计有迟滞功能，以提高噪声容限。FCT16373T 非常适合驱动高电容负载和低阻抗背板。输出缓冲器设计有断电禁用功能，以便在用作背板驱动器时实现电路板的“带电插入”。

• 0.5 微米 CMOS 技术
• 高速、低功耗 CMOS，可替代 ABT 功能
• 典型 tsk(o)（输出偏斜）< 250 ps
• 低输入和输出泄漏 ≤ 1 μA（最大值）
• 静电放电（ESD）：按照 MIL - STD - 883 方法 3015 测试 > 2000V；使用机器模型（C = 200pF，R = 0）测试 > 200V
• VCC = 5V ±10%
• 高驱动输出（-32mA IOH，64mA IOL）
• 断电禁用输出允许“带电插入”
• 典型 Volp（输出接地反弹）在 Vcc = 5V、TA = 25°C 时 < 1.0V
• 提供以下封装形式：工业级：SSOP、TSSOP

• 内存地址锁存器
• I/O 端口
• 总线驱动器
• 高电容负载驱动
• 低阻抗背板驱动