立创商城logo
购物车0
IAUTN15S6N025TATMA1-VB实物图
  • IAUTN15S6N025TATMA1-VB商品缩略图
  • 引脚图
  • 焊盘图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IAUTN15S6N025TATMA1-VB

N沟道;电压:150V;电流:150A;导通电阻:6.2(mΩ)

SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
商品型号
IAUTN15S6N025TATMA1-VB
商品编号
C52742236
商品封装
TOLL-16​
包装方式
编带
商品毛重
1.58克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)150V
连续漏极电流(Id)150A
导通电阻(RDS(on))6.2mΩ@10V
耗散功率(Pd)375W
阈值电压(Vgs(th))3V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)100nC
输入电容(Ciss)5.5nF
反向传输电容(Crss)32pF
工作温度-55℃~+175℃
类型N沟道
输出电容(Coss)846pF
栅极电压(Vgs)±20V

商品特性

  • SGT技术功率MOSFET
  • 最高结温175°C
  • 100%进行Rg和UIS测试
  • 符合RoHS标准
  • 无卤

应用领域

-电源-不间断电源-交直流开关电源-照明-同步整流-直流-直流转换器-电机驱动开关-直流-交流逆变器-太阳能微型逆变器-D类音频放大器

数据手册PDF