IAUTN15S6N025TATMA1-VB
N沟道;电压:150V;电流:150A;导通电阻:6.2(mΩ)
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- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- IAUTN15S6N025TATMA1-VB
- 商品编号
- C52742236
- 商品封装
- TOLL-16
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.58克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 150A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.2mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 375W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 100nC | |
| 输入电容(Ciss) | 5.5nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 32pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 846pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品特性
- SGT技术功率MOSFET
- 最高结温175°C
- 100%进行Rg和UIS测试
- 符合RoHS标准
- 无卤
应用领域
-电源-不间断电源-交直流开关电源-照明-同步整流-直流-直流转换器-电机驱动开关-直流-交流逆变器-太阳能微型逆变器-D类音频放大器
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