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UCC27517DBVR-S-JSM
单通道高速低侧栅极驱动器，适用于MOSFET、IGBT和GaN功率器件，具备轨到轨驱动能力
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- 描述
- 单通道栅极驱动器 驱动配置：低边 负载类型：MOSFET；IGBT 电源电压：5V~25V 峰值灌电流：4A 峰值拉电流：4A 采用 SOT-23-5 封装 具有UVLO 和 13ns 传播延迟 -40 to 125
- 品牌名称
- JSMSEMI(杰盛微)
- 商品型号
- UCC27517DBVR-S-JSM
- 商品编号
- C52711846
- 商品封装
- TSOT-23-5
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.039633克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 驱动配置 | 低边 | |
| 负载类型 | MOSFET；IGBT | |
| 驱动通道数 | 1 | |
| 灌电流(IOL) | 5A | |
| 拉电流(IOH) | 5A | |
| 工作电压 | 4.5V~20V | |
| 上升时间(tr) | 9ns | |
| 下降时间(tf) | 6ns |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 传播延迟 tpLH | - | |
| 传播延迟 tpHL | - | |
| 特性 | 欠压保护(UVP) | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 输入高电平(VIH) | - | |
| 输入低电平(VIL) | - | |
| 静态电流(Iq) | 30uA | |
| 功能特性 | 交错导通保护；死区时间控制 |
商品概述
UCC27517DBVR-S 是一款单通道高速低侧栅极驱动器，可为 MOSFET、IGBT 和 GaN 功率器件提供 5A 峰值拉电流和灌电流以及轨到轨驱动能力。该器件具有最小 13ns 输入到输出传播延迟和 20V 电源轨，适用于高频功率转换器应用。其输入可接受低至 -5V 的负电压，以增强输入抗噪能力。宽输入迟滞兼容 TTL 低电压逻辑。IN+ 和 IN- 输入的灵活配置使 UCC27517DBVR-S 既可用作同相驱动器，也可用作反相驱动器。该器件采用无交叠驱动设计，以避免输出级发生直通。其工作温度范围宽达 -40°C ~ 150°C。UCC27517DBVR-S 采用 SOT23-THN 封装。
商品特性
- 5A 峰值拉电流与 5A 峰值灌电流
- 4.5V ~ 20V 宽电源电压范围
- 低至 -5V 的负输入电压能力
- 快速传播延迟：13ns
- 快速上升和下降时间：9ns 和 6ns
- TTL 输入逻辑阈值
- 欠压锁定保护
- 低静态电流：30uA
- 输入悬空时输出为低电平
- 采用 SOT23-THN 封装
应用领域
- 功率 MOSFET 栅极驱动
- IGBT 栅极驱动
- GaN 器件栅极驱动
- 开关电源
- 电机控制
- 太阳能发电