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DDB6U75N16W1R_B11引脚图
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  • 焊盘图

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DDB6U75N16W1R_B11

DDB6U75N16W1R_B11

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商品型号
DDB6U75N16W1R_B11
商品编号
C535073
包装方式
托盘
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录IGBT管/模块
IGBT类型FS(场截止)
耗散功率(Pd)335W
集射极击穿电压(Vces)1.2kV
集电极电流(Ic)50A
集电极脉冲电流(Icm)100A
集电极截止电流(Ices)-
集射极饱和电压(VCE(sat))2.15V
栅极阈值电压(Vge(th))5.8V
栅极电荷量(Qg)380nC@15V
属性参数值
输入电容(Cies)2.8nF
输出电容(Coes)-
反向传输电容(Cres)100pF
开启延迟时间(Td(on))440ns
关断延迟时间(Td(off))4.4us
导通损耗(Eon)5.8mJ
关断损耗(Eoff)4.4mJ
反向恢复时间(Trr)-
工作温度-40℃~+150℃

数据手册PDF