温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
BCR 108S H6327
NPN硅数字晶体管，适用于开关、逆变、接口和驱动电路，内置偏置电阻，无铅封装，符合AEC Q101标准
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- BCR 108S H6327
- 商品编号
- C533808
- 商品封装
- SOT-363
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.056克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 数字晶体管 | |
| 数量 | 2个NPN-预偏置 | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 50V | |
| 集电极电流(Ic) | 100mA | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 晶体管类型 | NPN | |
| 直流电流增益(hFE) | 70 | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | - | |
| 最小输入电压(VI(on)) | 500mV@2mA,0.3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 最大输入电压(VI(off)) | 800mV@100uA,5V | |
| 输出电压(VO(on)) | - | |
| 输入电阻 | 2.9kΩ | |
| 电阻比率 | 0.047 | |
| 工作温度 | - | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 300mV@10mA,0.5mA | |
| 特征频率(fT) | 170MHz | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 100nA |
商品特性
- 适用于开关电路、逆变器、接口电路和驱动电路
- 内置偏置电阻（R₁ = 2.2 kΩ，R₂ = 47 kΩ）
- BCR108S：在一个多芯片封装中有两个内部隔离且匹配良好的晶体管
- 无铅（符合RoHS标准）封装
- 符合AEC Q101标准