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AUIRFR6215TRL
停产 1个P沟道 耐压:150V 电流:13A
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- AUIRFR6215TRL
- 商品编号
- C533357
- 商品封装
- DPAK
- 包装方式
- -
- 商品毛重
- 0.8克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 13A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 295mΩ@10V,6.6A | |
| 耗散功率(Pd) | 110W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 66nC | |
| 输入电容(Ciss) | 860pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 130pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
专为汽车应用设计的HEXFET功率MOSFET采用最新的加工技术，以实现单位硅片面积的低导通电阻。结合HEXFET功率MOSFET广为人知的快速开关速度和坚固耐用的器件设计，这一优势为设计人员提供了一种极其高效可靠的器件，可用于汽车及多种其他应用。
商品特性
- 先进的平面技术
- 低导通电阻
- P沟道
- 动态dv/dt额定值
- 175°C工作温度
- 快速开关
- 全雪崩额定
- 允许在最高结温Tjmax下进行重复雪崩
- 无铅，符合RoHS标准
- 通过汽车级认证