- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
AIHD10N60RF
AIHD10N60RF
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- AIHD10N60RF
- 商品编号
- C533159
- 商品封装
- TO-252-3-313
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.437克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | - | |
| 耗散功率(Pd) | 150W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 600V | |
| 集电极电流(Ic) | 10A | |
| 集电极脉冲电流(Icm) | 30A | |
| 集电极截止电流(Ices) | - | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 2.2V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 64nC@480V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | 655pF | |
| 输出电容(Coes) | 37pF | |
| 反向传输电容(Cres) | 22pF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 12ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 168ns | |
| 导通损耗(Eon) | 190uJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 160uJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | 72ns | |
| 工作温度 | -40℃~+175℃ |