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16N65F
N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管，采用MDmesh M2工艺技术，具有低导通电阻、优越开关性能和高雪崩击穿耐量，适用于AC-DC开关电源等
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- 描述
- N沟道 耐压:650V 电流:16A，低栅极电荷量、低反向传输电容、开关速度快、提升了 dv/dt能力，该产品可广泛应用于 AC-DC 开关电源， DC-DC 电源转换器， 高压 H 桥 PWM 马达驱动。
- 品牌名称
- JUXING(钜兴)
- 商品型号
- 16N65F
- 商品编号
- C52211904
- 商品封装
- ITO-220AB
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 3.23克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 450mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 98W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 50nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 2.49nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 14pF | |
| 工作温度 | - | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 295pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±30V |
商品概述
16N65S/F N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用MDmeshTM M2工艺技术制造。该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。 该产品可广泛应用于AC-DC开关电源,DC-DC电源转换器,高压H桥PWM马达驱动。
商品特性
- 16A, 650V, RDS(on)(典型值)=0.45Ω@VGS=10V
- 低栅极电荷量
- 低反向传输电容
- 开关速度快
- 提升了dv/dt能力
应用领域
- AC-DC开关电源
- DC-DC电源转换器
- 高压H桥PWM马达驱动