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BUK964R2-55B/C-VB实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

BUK964R2-55B/C-VB

N沟道;电压:60V;电流:120A;导通电阻:3.4(mΩ)

商品型号
BUK964R2-55B/C-VB
商品编号
C52209232
商品封装
TO-252​
包装方式
编带
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)120A
导通电阻(RDS(on))3.4mΩ@10V
耗散功率(Pd)150W
阈值电压(Vgs(th))4.5V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)35nC
输入电容(Ciss)8.6nF
反向传输电容(Crss)21pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)246pF
栅极电压(Vgs)±20V

商品特性

  • SGT技术功率MOSFET
  • 最高结温150°C
  • 100%进行Rg和UIS测试
  • 符合RoHS标准
  • 无卤

应用领域

-电源-不间断电源-交直流开关电源-照明-同步整流-直流-直流转换器-电机驱动开关-直流-交流逆变器-太阳能微型逆变器-D类音频放大器

数据手册PDF