温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
PSMN2R0-30YLE,115-VB
N沟道；电压：30V；电流：90A；导通电阻：2.8(mΩ)
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- PSMN2R0-30YLE,115-VB
- 商品编号
- C52209180
- 商品封装
- LFPAK
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.3mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 120W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 51nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 5.201nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 970pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.725nF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品特性
- 沟槽功率MOSFET
- 100%进行导通电阻(RDS(on))和非钳位感性开关(UIS)测试
- 符合欧盟2011/65/EU号RoHS指令
应用领域
- 或门应用
- 服务器
- 直流-直流转换
相似推荐
其他推荐
- PSMN6R0-30YLDX-VB
- PSMN3R0-30YL,115-VB
- PSMN9R5-30YLC,115-VB
- PSMN7R5-30YLD115-VB
- PSMN2R5-30YL,115-VB
- BUK9Y22-30B,115-VB
- PSMN3R0-30YLDX-VB
- PSMN9R1-30YL,115-VB
- PSMN013-30YLC,115-VB
- PSMN6R0-30YL,115-VB
- PSMN011-30YLC,115-VB
- PSMN6R0-30YLB,115-VB
- PSMN2R0-30YL,115-VB
- PSMN6R0-25YLD115-VB
- PSMN8R0-30LYC115-VB
- PSMN2R2-30YLC,115-VB
- PH4030AL115-VB
- PSMN3R5-30YL,115-VB
- PH9030AL115-VB
- PSMN5R0-30YL,115-VB
- PSMN1R2-25YLDX-VB