BFU590GX
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 晶体管类型 | NPN | |
| 集电极电流(Ic) | 300mA | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 12V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 直流电流增益(hFE) | 95 |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 特征频率(fT) | 8.5GHz | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 1nA | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 3V | |
| 数量 | 1个NPN |
商品概述
BFU590G是一款采用塑料4引脚SOT223封装的NPN硅微波晶体管,适用于高速、中等功率应用。BFU590G属于BFU5晶体管系列,适用于频率最高2 GHz的小信号至中等功率应用。
商品特性
- 中等功率,高线性度,高击穿电压射频晶体管
- AEC-Q101 合格
- 900 MHz 下最大稳定增益 13 dB
- 900 MHz 下 PL(1dB) 21.5 dBm
- 8.5 GHz ft 硅技术
应用领域
- 汽车应用
- 宽带放大器
- 中等功率放大器(频率为 433 MHz 或 866 MHz 时输出 500 mW)
- ISM 应用的大信号放大器


