温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
PSMN030-150P,127-VB
N沟道；电压：150V；电流：50A；导通电阻：30(mΩ)
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- PSMN030-150P,127-VB
- 商品编号
- C52191072
- 商品封装
- TO-220AB
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 3.2克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 30mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 166W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 38nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 2.5nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 190pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 290pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品特性
- 沟槽功率MOSFET
- 175 °C结温
- 新型低热阻封装
- 脉宽调制(PWM)优化
- 符合RoHS指令2002/95/EC
应用领域
- 初级侧开关
- N沟道MOSFET
相似推荐
其他推荐
- PHP28NQ15T,127-VB
- PSMN1R1-30PL,127-VB
- PSMN2R0-30PL,127-VB
- PSMN4R3-30PL,127-VB
- PSMN2R2-40PS,127-VB
- BUK753R1-40E,127-VB
- PSMN1R9-40PL127-VB
- BUK751R8-40E,127-VB
- PSMN1R5-40PS,127-VB
- PSMN4R5-40PS,127-VB
- BUK754R0-40C,127-VB
- PSMN2R6-60PS127-VB
- PSMN2R5-60PL127-VB
- PSMN2R0-60PS,127-VB
- PSMN3R0-60PS,127-VB
- BUK954R8-60E,127-VB
- BUK953R5-60E,127-VB
- BUK7509-55A,127-VB
- BUK7506-55A127-VB
- BUK7508-55A,127-VB
- BUK7510-55AL127-VB