温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
PJT7828_R1_00501
N沟道增强型MOSFET，采用先进沟槽工艺技术，具备ESD保护，适用于继电器驱动、高速线路驱动等
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 品牌名称
- PANJIT(强茂)
- 商品型号
- PJT7828_R1_00501
- 商品编号
- C52189982
- 商品封装
- SOT-363
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.026克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 700mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 350mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 750mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 900pC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 45pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 0.8pF | |
| 工作温度 | - | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 14pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±10V |
商品概述
VRF152是一款镀金硅N沟道射频功率晶体管，专为需要高功率和高增益，同时又不牺牲可靠性、耐用性或互调失真的宽带商业应用而设计。
商品特性
- 先进沟槽工艺技术
- 静电放电保护
- 专为继电器驱动、高速线路驱动等设计
- 符合欧盟 RoHS 2011/65/EU 指令的无铅产品
- 符合 IEC61249 标准的绿色模塑料(无卤)
应用领域
- 宽带商业应用