- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
PMDT290UCEH-VB
N+P沟道；电压：±20V；电流：0.6/-0.3A；导通电阻：270/660(mΩ)
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- PMDT290UCEH-VB
- 商品编号
- C52148797
- 商品封装
- SC-75-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V；20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 600mA；300mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 660mΩ@4.5V；270mΩ@4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 1.15W | |
| 栅极电荷量(Qg) | 2.4nC；2.1nC | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V；±20V |
商品特性
- 符合 IEC 61249-2-21 定义的无卤要求
- 沟槽功率 MOSFET
- 100% Rq 测试
- 符合 RoHS 指令 2002/95/EC
- B256-140A0BSBE9
- P125-1213B1BM110B1
- F185-1223A0ASUE1
- F185-1107A1CMUB1
- P220-2109A0CS140A2
- F789-1104A0DSUC1
- F136-1205A2BMUB2
- F136-1202A2BMUB2
- F243-1213A4BMUB4
- F185-1210A0ASUC2
- F185-1203A0CRYE2
- P220-2203A0CS170A2
- P220-2220A0CS108A1
- F185-1106A0BSYE1
- F243-1208A0BSUC2
- P125-1206A4AS095A1
- P125-1202A0BS116A1
- P125-1207A0BS116A1
- P220-1205A0BS082A1
- P125-1206A4AS116A1
- P125-2208A0BS210A1