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PXP3R7-12QUJ-VB
P沟道；电压：-20V；电流：-52A；导通电阻：4(mΩ)
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- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- PXP3R7-12QUJ-VB
- 商品编号
- C52148748
- 商品封装
- DFN-8(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 54W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 95.3nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 4.595nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 813pF | |
| 工作温度 | - | |
| 配置 | - | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 910pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±16V |
商品特性
- 根据 IEC 61249-2-21 定义为无卤产品
- 沟槽功率 MOSFET
- 100% 进行栅极电阻(Rg)测试
- 符合 RoHS 指令 2002/95/EC
- 符合 RoHS 标准
- 无卤
应用领域
- 负载开关
- 适配器/电池开关