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PSMN070-200B-VB
N沟道；电压：200V；电流：40A；导通电阻：48(mΩ)
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- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- PSMN070-200B-VB
- 商品编号
- C52148715
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 48mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 200W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 35nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 2.82nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 120pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 300pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品特性
- 沟槽功率MOSFET
- 175°C结温
- 低热阻封装
- 针对快速开关优化的PWM
- 符合RoHS指令2002/95/EC
应用领域
-隔离式DC/DC转换器-初级侧开关
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