- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
PMV30XPAR-VB
P沟道；电压：-20V；电流：-5A；导通电阻：34(mΩ)
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- PMV30XPAR-VB
- 商品编号
- C52148672
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.054克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 34mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 450mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 8.4nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 695pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 190pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 265pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±8V |
商品特性
-提供无卤选项-沟槽功率MOSFET
应用领域
-便携式设备的负载开关