- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
BSS123,215-VB
N沟道；电压：100V；电流：0.26A；导通电阻：2800(mΩ)
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- BSS123,215-VB
- 商品编号
- C52148507
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.054克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 260mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.8Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 370mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 500pC | |
| 输入电容(Ciss) | 30pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 7pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品特性
- 符合 IEC 61249-2-21 定义的无卤要求
- 低阈值:2 V(典型值)
- 低输入电容:25 pF
- 快速开关速度:25 ns
- 低输入和输出泄漏电流
- 沟槽功率 MOSFET
- 符合 RoHS 指令 2002/95/EC
- N 沟道 MOSFET