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TS4871DQ3/TR实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

TS4871DQ3/TR

单声道AB类音频功率放大器,具备开关噪声抑制和过温保护,采用多种封装,适用于低电压低功耗应用

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描述
3W 单声道 AB 类音频功率放大器
品牌名称
HGSEMI(华冠)
商品型号
TS4871DQ3/TR
商品编号
C52121513
商品封装
DFN-8(3x3)​
包装方式
编带
商品毛重
0.1771克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录音频功率放大器
功放类型AB类功放
扬声器通道数单声道
输出功率2.9Wx1@4Ω;1.8Wx1@8Ω
总谐波失真+噪声(THD+N)0.08%
属性参数值
静态电流(Iq)2mA
信噪比98dB
功能特性使能/关断功能;自动静音/免噪音开关
工作电压1.9V~5.5V

商品概述

TS4871 是一款 3W 单声道 AB 类音频功率放大器。其工作电压范围为 1.9 - 5.5V,采用 BTL 桥接方式。在 5V 电源供电下,可为 4Ω 负载提供总谐波失真小于 10%、平均 3.0W 的输出功率。关断模式下的典型电流小于 0.5μA。该器件提供足功率、高保真音频输出,仅需少量外围器件,且输出无需外接耦合电容或自举电容。其提供 SOP-8、MSOP-8 和 DFN-8 封装,有助于节省电路板面积,非常适合移动电话及各种采用低电压、低功耗应用方案的便携式设备。功耗是放大器的关键指标之一,差分输出放大器的最大自功耗为 PDMAX = 4 × (VDD)² / (2 × π² × RL)。必须注意,自功耗是输出功率的函数。电路设计时,需确保芯片内部结温不高于 TJMAX(150℃),并依据芯片热阻 θJA 进行设计,可通过增加散热铜箔来提升散热性能。若仍不满足要求,则需通过增大负载电阻、降低电源电压或降低环境温度来解决。在放大器应用中,电源旁路设计对噪声性能及电源电压抑制性能至关重要,要求旁路电容尽量靠近芯片电源引脚,典型配置为并联 10μF 电解电容与 0.1μF 陶瓷电容。应用中另一关键电容 CB(连接 BYP 引脚)影响电源抑制比及开关/切换噪声性能,通常选择 0.1μF ~ 1μF 的陶瓷电容。为节省电能,可通过 Shutdown 引脚控制放大器的工作状态:施加低电平时芯片处于正常工作模式;施加高电平时芯片进入关断模式,关闭放大器且无信号输出,以有效降低能耗;若引脚悬空,芯片将进入不确定状态,不仅无法降低功耗,还可能对芯片造成不良影响,因此在芯片长期工作时严禁悬空此引脚。正确选择外围元器件对确保芯片性能很重要。TS4871 为单位增益稳定,应用范围广。通常采用单位增益放大来降低总谐波失真加噪声,并使信噪比最大化,但这要求输入电压最大化,通常编解码器能够提供 1Vrms 的输出电压。此外,闭环带宽必须得到保证,输入耦合电容 Ci 形成一阶高通滤波器,决定了低频响应。过大的输入电容会增加成本和面积,对成本及面积紧张的应用不利。实际上,许多应用中扬声器无法再现低于 100Hz - 150Hz 的低频语音,因此使用大电容并不能改善系统性能。除了系统性能,开关/切换噪声的抑制性能也受电容影响,大耦合电容会导致反馈网络延迟增大,从而可能产生爆破噪声,因此较小的耦合电容有助于减少此类噪声。另外,必须考虑 CB 电容的大小,选择 CB=1μF,Ci = 0.1μF ~ 0.39μF 可满足系统性能要求。最大功耗取决于三个因素:TJMAX,TA,θJA,其计算公式为 PDMAX = (TJMAX - TA) / θJA。TS4871 的 TJMAX=150℃。TA 为外部环境温度,θJA 取决于不同的封装形式。

商品特性

  • 工作电压:1.9 - 5.5V
  • 采用创新的“开关/切换噪声”抑制技术,消除上电和掉电时出现的噪声
  • 在总谐波失真加噪声为 10%、VDD=5V、4Ω 负载条件下,提供高达 2.9W 的输出功率
  • 在总谐波失真加噪声为 10%、VDD=5V、8Ω 负载条件下,提供高达 1.8W 的输出功率
  • 关断电流 < 0.5μA
  • 具备过温保护功能
  • 提供 SOP-8、MSOP-8 和 DFN-8 封装

应用领域

  • 移动电话
  • 扩音器
  • 蓝牙音响
  • 收音机
  • GPS

数据手册PDF