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TW15N06SI
SOT-89封装N沟道增强型MOSFET，具备低栅极电荷、先进沟槽技术，适用于电源开关和高频电路
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- 描述
- 数量1个N沟道 漏源电压(Vdss)60V 连续漏极电流(Id)15A 导通电阻(RDS(on))28mΩ@10V
- 品牌名称
- TWGMC(迪嘉)
- 商品型号
- TW15N06SI
- 商品编号
- C52117633
- 商品封装
- SOT-89
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1508克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 15A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 28mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 20.3nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 1.148nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 49.4pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 58.5pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品特性
-出色的Cdv/dt效应抑制能力-超低栅极电荷-提供环保型器件-采用先进的高单元密度沟槽技术
应用领域
-功率开关应用-硬开关和高频电路-不间断电源