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SGT350R70GTK
增强型常关功率GaN晶体管，高开关速度，高功率管理能力，低电容，零反向恢复电荷
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- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- SGT350R70GTK
- 商品编号
- C52056861
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.9克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 氮化镓晶体管(GaN HEMT) | |
| 类型 | N沟道 | |
| 技术路线 | E-mode | |
| 漏源电压(Vdss) | 700V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 耗散功率(Pd) | 47W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.7V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 1.5nC | |
| 输入电容(Ciss) | 50pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 0.2pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 15pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 270mΩ |
商品概述
SGT350R70GTK是一款700V、6A的增强型功率氮化镓（PowerGaN）晶体管，采用了成熟的封装技术。由此产生的G-HEMT器件具有极低的传导损耗、高电流能力和超快的开关操作，可实现高功率密度和无与伦比的效率性能。推荐用于零电流导通的消费类QR应用。
商品特性
- 增强型常关晶体管
- 极高的开关速度
- 高功率管理能力
- 极低的电容
- 零反向恢复电荷
- ESD保护
应用领域
- 平板电脑、笔记本电脑和一体机的适配器
- USB Type-C PD适配器和快速充电器