温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
SI5908BDC-T1-GE3
SI5908BDC-T1-GE3
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SI5908BDC-T1-GE3
- 商品编号
- C52044861
- 商品封装
- SMD-8P
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.022克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 30mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 800mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 6.5nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 632pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 40pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 80pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±8V |