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AT2N7002ESA
N 沟道 MOSFET VDS=60V RDS (on)=2.2Ω ID=0.35A
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- 描述
- N 沟道增强型 MOSFET，SOT-23 封装，VDS=60V，ID=0.35A，RDS (on)=2.2Ω@10V/2.8Ω@4.5V，Qg=1.7nC，低栅极电荷，适用于负载开关，TJ=-55~+150℃，带ESD
- 品牌名称
- AnBon(安邦)
- 商品型号
- AT2N7002ESA
- 商品编号
- C52033615
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.035克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 350mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.7Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 350mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 1.7nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 28pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 4pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 11pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品特性
- 先进沟槽技术
- 出色的RDS(ON)
- 低栅极电荷
应用领域
- 负载开关
- 不间断电源
- PEWM4026FL200A9
- PEWM4026FL300A9
- PEWM4026FL500K9
- PEWM4026F1L00K9
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