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CCX2N7002K
CCX2N7002K 防静电N沟道MOS管 电流：300mA 电压：60V
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- 描述
- 2N7002K 1个N沟道 防静电，应用：通讯模块、工业控制、人工智能、消费电子
- 品牌名称
- CCX(晁禾)
- 商品型号
- CCX2N7002K
- 商品编号
- C51953472
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.031867克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 300mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.05Ω@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 350mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 1.8nC | |
| 输入电容(Ciss) | 28pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 4pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 11pF |
商品概述
CCX2N7002K是N沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进技术和设计，可在低栅极电荷下实现出色的RDS(ON)。该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品CCX7002K为无铅产品，采用小型SOT - 23表面贴装器件(SMD)塑料封装。
商品特性
- 采用沟槽MOSFET技术
- 可靠耐用
- 高密度单元设计，实现低RDS(on)
- 雪崩额定
- ESD保护 - 人体模型(HBM)：2kV
- 低漏电流
应用领域
- PWM应用-负载开关-便携式/台式PC的电源管理-DC/DC转换