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KIA50N06DD
N沟道功率MOSFET，采用先进沟槽技术，低栅极电荷，具备良好CdV/dt效应衰减
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- 描述
- N管 50A 60V Rds7.5-9.0mΩ Ciss 3000PF TO-252
- 品牌名称
- KIA
- 商品型号
- KIA50N06DD
- 商品编号
- C51953387
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.4866克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 88W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 64nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 3nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 150pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 180pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品特性
- 先进沟槽技术
- RDS(ON) = 7.5 mΩ(典型值)@ VGS = 10V
- 超低栅极电荷
- 提供环保器件
- 出色的CdV/dt效应抑制能力
- 100% ΔVds测试
- 100% 非钳位感性开关(UIS)测试