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HL2319
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 85mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 350mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 6.4nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 620pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 53pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品特性
- 漏源电压(VDS) = -40 V
- 漏极电流(ID) = -3 A
- 栅源电压(VGS) = -10 V时,导通电阻(RDS(on)) < 85 mΩ
- 栅源电压(VGS) = -4.5 V时,导通电阻(RDS(on)) < 100 mΩ
- 沟槽技术功率MOSFET
- 低栅极电阻
- 散热性能良好的出色封装
应用领域
-电源开关应用-硬开关和高频电路-不间断电源