- 引脚图
- 焊盘图
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X7N65DHE2
X7N65DHE2
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- 描述
- MOSFET N-Channel 650V 7A TO-252-2L
- 品牌名称
- XYD(芯一代)
- 商品型号
- X7N65DHE2
- 商品编号
- C51952992
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.2Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 68W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 21nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.146nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 4pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 95pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±30V |
商品特性
- 低栅极电荷
- 低输入电容(Ciss)
- 快速开关
- 100%雪崩测试
应用领域
- LED电源
- 手机充电器
- 备用电源