- 引脚图
- 焊盘图
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X4N50DHE2
X4N50DHE2
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- 描述
- MOSFET N-Channel 500V 4A TO-252-2L
- 品牌名称
- XYD(芯一代)
- 商品型号
- X4N50DHE2
- 商品编号
- C51952983
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.5Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 71W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 13nC | |
| 输入电容(Ciss) | 582pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 3pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 62pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±30V |
商品特性
-低栅极电荷-低输入电容(Ciss)-快速开关
应用领域
-LED电源-手机充电器-备用电源