- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
X180N65JEFHW4
X180N65JEFHW4
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- 描述
- MOSFET N-Channel 650V 180mΩ PDFN8*8-4L
- 品牌名称
- XYD(芯一代)
- 商品型号
- X180N65JEFHW4
- 商品编号
- C51952952
- 商品封装
- DFN-4L(8x8)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 145mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 30W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 25nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.661nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 46pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 113pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品特性
- 20A、650V,RDS(ON)最大值 = 180mΩ(VGS = 10V/5.5A时)
- 低栅极电荷
- 低输入电容(Ciss)
- 快速开关
- 100%雪崩测试
- 改善的dv/dt能力
- 符合RoHS 2.0标准