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FTB07N08N
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 85V | |
| 连续漏极电流(Id) | 120A | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 6mΩ@10V,60A | |
| 功率(Pd) | 208W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2V@250uA | |
| 栅极电荷(Qg@Vgs) | 74.4nC@10V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 4.572nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss@Vds) | 253pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
~~- 符合RoHS标准-低导通电阻-低栅极电荷-峰值电流与脉冲宽度曲线-电感式开关曲线
应用领域
- 适配器-充电器-开关电源