AO3400-SL
N沟道 30V 5.8A
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- 描述
- 特性:Trench Power LV MOSFET技术。 高密度单元设计,实现低导通电阻RDS(ON)。 高速开关。应用:电池保护。 负载开关
- 品牌名称
- Slkor(萨科微)
- 商品型号
- AO3400-SL
- 商品编号
- C51927822
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.032克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 17.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 900mV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 10nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 425pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 35pF | |
| 工作温度 | -50℃~+155℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 45pF |
商品概述
- 深沟型功率金属氧化物半导体场效应晶体管技术
- 电压控制型小信号开关
- 输入电容低
- 开关速度快
- 输入/输出漏电小
商品特性
- 漏源电压(VDS) = -20V,漏极电流(ID) = -60A
- 在栅源电压(VGS) = -4.5V时,导通状态漏源电阻(RDS(ON)) < 10 mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
