2SD965
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 晶体管类型 | NPN | |
| 集电极电流(Ic) | 5A | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 20V | |
| 耗散功率(Pd) | 750mW | |
| 直流电流增益(hFE) | 200 | |
| 特征频率(fT) | 150MHz |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 集电极截止电流(Icbo) | 100nA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 1V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 7V | |
| 数量 | 1个NPN | |
| 配置 | 独立式 |
商品特性
- 低集电极-发射极饱和电压
- 高集电极功耗和电流
- 微型功率型封装
- UR025M222X25TC97S00A
- UR080M102J35TC97S00A
- UR035M102X25TC97S00A
- UR050M272J40TC97S00A
- UR070M621J20TC97S00A
- UR025M162X30TC97S00A
- UR025M472X35TC97S00A
- UR050M821X25TC97S00A
- SWXBKBCVF0-49.152000
- SWM52032768KABVT
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- SWDDEV33ER-100.000000
- SWDDEV33ER-125.000000
- SWDDEV33ER-155.520000
- SWDDEV33ER-156.250000
- SWDADV33EM-148.500000
- SWDAEV33EM-200.000000
- SWDCCV33EM-135.000000
- SWOFDV33S4-0.032768