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RS20N100D
N沟道MOSFET
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- 描述
- 适配器,充电器,电机驱动,同步整流,负载开关,控制板,BMS
- 品牌名称
- REASUNOS(瑞森半导体)
- 商品型号
- RS20N100D
- 商品编号
- C51904727
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.005556克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.1mΩ@10V,30A | |
| 耗散功率(Pd) | 53W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 64nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 6.21nF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 720pF@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 820pF |
优惠活动
购买数量
(2500个/圆盘，最小起订量 5 个)个
起订量：5 个2500个/圆盘
总价金额：
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