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RS2300E
N沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 超结MOS，高浪涌要求LED驱动、适配器（印度市场等），设备电源
- 品牌名称
- REASUNOS(瑞森半导体)
- 商品型号
- RS2300E
- 商品编号
- C51904670
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.036633克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 16mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.25W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 12.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 525pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 75pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 95pF |
商品特性
-先进沟槽工艺技术-低阈值电压-快速开关速度-无卤无铅
应用领域
-便携式设备负载开关-电压控制小信号开关