MDQ20N116PTFTH
MDQ20N116PTFTH
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- 品牌名称
- MagnaChip(美格纳)
- 商品型号
- MDQ20N116PTFTH
- 商品编号
- C51902185
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.997778克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 95A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10.4mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 300W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 80nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 6.951nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 12pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 428pF |
商品特性
- 沟槽功率MOSFET技术
- N沟道,常电平
- 增强型雪崩耐受能力
- 100%雪崩测试
- 最高结温175°C
- 改善二极管反向恢复时间(trr)以提高效率
应用领域
- DC/DC和AC/DC转换器
- 电机驱动系统
- 电池供电系统
