IGLT65R025D2

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品牌名称: Infineon(英飞凌)
商品型号: IGLT65R025D2
商品编号: C51892609
商品封装: HDSOP-16
包装方式: 编带
商品毛重: 1克(g)

商品参数

商品概述

英飞凌的 CoolGaN 是一款高效的 650V 氮化镓 (GaN) 晶体管，专为功率转换而设计。它能实现更高的功率密度，支持降低系统物料清单成本，并有助于实现小型化外形。该产品采用 200 毫米（8 英寸）晶圆技术和全自动化生产线生产，具有窄生产公差和最高的产品质量。这使其适用于从消费电子到工业应用的广泛领域。

商品特性

增强型晶体管
超快速开关
无反向恢复电荷
能够反向导通
低栅极和输出电荷
卓越的换向耐用性
2 kV HBM ESD 标准

应用领域

基于半桥硬开关和软开关拓扑（如图腾柱 PFC 和高频 LLC）的工业、电信、数据中心开关电源，以及充电器和适配器。

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	氮化镓晶体管(GaN HEMT)
	类型	-
	技术路线	E-mode
	漏源电压(Vdss)	650V
	连续漏极电流(Id)	67A
	耗散功率(Pd)	219W
	阈值电压(Vgs(th))	1.2V

	属性	参数值
	数量	-
	栅极电荷量(Qg)	11nC
	输入电容(Ciss)	780pF
	反向传输电容(Crss)	1.8pF
	工作温度	-55℃~+150℃
	输出电容(Coss)	130pF
	导通电阻(RDS(on))	25mΩ