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DDTB114EC-7-F
DDTB114EC-7-F
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- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DDTB114EC-7-F
- 商品编号
- C526531
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.054克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 数字晶体管 | |
| 数量 | - | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 40V | |
| 集电极电流(Ic) | 500mA | |
| 耗散功率(Pd) | 200mW | |
| 晶体管类型 | - | |
| 直流电流增益(hFE) | 56 | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | - | |
| 最小输入电压(VI(on)) | 500mV@100uA,5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 最大输入电压(VI(off)) | 3V@20mA,0.3V | |
| 输出电压(VO(on)) | 300mV@50mA,2.5mA | |
| 输入电阻 | - | |
| 电阻比率 | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | - | |
| 特征频率(fT) | 200MHz | |
| 集电极截止电流(Icbo) | - |
商品特性
- 外延平面芯片结构
- 内置偏置电阻
- 适合自动装配的表面贴装封装
- 完全无铅且完全符合 RoHS 标准
- 无卤素和锑，“绿色”器件