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MMBT3906LT1G

PNP 电流:200mA 电压:40V

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描述: 该 PNP 双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23 封装，适用于低功率表面贴装应用。
品牌名称: onsemi(安森美)
商品型号: MMBT3906LT1G
商品编号: C53444
商品封装: SOT-23
包装方式: 编带
商品毛重: 0.03克(g)

商品参数

晶体管类型：PNP
电流 - 集电极（Ic）（最大值）：200mA
电压 - 集射极击穿（最大值）：40V
不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）：400mV @ 5mA，50mA
不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）：100 @ 10mA，1V
功率 - 最大值：300mW
频率 - 跃迁：250MHz
安装类型：表面贴装
封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：SOT-23-3（TO-236）

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	属性	参数值
	商品目录	三极管(BJT)
	晶体管类型	PNP
	集电极电流(Ic)	200mA
	集射极击穿电压(Vceo)	40V
	耗散功率(Pd)	225mW
	直流电流增益(hFE)	60@0.1mA,1.0V

	属性	参数值
	特征频率(fT)	250MHz
	集电极截止电流(Icbo)	50nA
	集射极饱和电压(VCE(sat))	250mV
	工作温度	-55℃~+150℃
	射基极击穿电压(Vebo)	5V