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PJA3419
P沟道增强型MOSFET，具备ESD保护功能
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- 描述
- 特性：RDS(ON), VGS@-10V, ID@-4.0A < 60mΩ。 RDS(ON), VGS@-4.5V, ID@-3.3A < 70mΩ。 RDS(ON), VGS@-2.5V, ID@-2.0A < 96mΩ。 先进的沟槽工艺技术。 专为开关负载、PWM应用等设计。 ESD保护2KV HBM。 符合欧盟RoHS 2011/65/EU指令的无铅产品。 符合IEC61249标准的绿色模塑料（无卤）
- 品牌名称
- PANJIT(强茂)
- 商品型号
- PJA3419
- 商品编号
- C525635
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.029克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 50mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.25W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 770mV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 6.9nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 602pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 47pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 70pF |
商品特性
- 导通电阻RDS(ON):栅源电压VGS为 -10V、漏极电流ID为 -4.0A 时小于60mΩ
- 导通电阻RDS(ON):栅源电压VGS为 -4.5V、漏极电流ID为 -3.3A 时小于70mΩ
- 导通电阻RDS(ON):栅源电压VGS为 -2.5V、漏极电流ID为 -2.0A 时小于96mΩ
- 先进的沟槽工艺技术
- 专为开关负载、PWM应用等特殊设计
- 具备2KV HBM静电保护
- 符合欧盟RoHS 2011/65/EU指令的无铅产品
- 采用符合IEC61249标准的无卤绿色模塑料