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LNA2306LT1G
1个N沟道 耐压:30V 电流:5.8A
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- 描述
- 特性：VDS = 30V。 RDS(ON), VGS@10V, IDS@5.8A = 38mΩ。 RDS(ON), VGS@4.5V, IDS@5.0A = 43mΩ。 RDS(ON), VGS@2.5V, IDS@4.0A = 62mΩ。 产品材料符合 RoHS 要求且无卤。 S 前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用；通过 AEC-Q101 认证且具备 PPAP 能力
- 品牌名称
- LRC(乐山无线电)
- 商品型号
- LNA2306LT1G
- 商品编号
- C525405
- 商品封装
- SOT-23E
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.03克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 62mΩ@2.5V,4A | |
| 耗散功率(Pd) | 1.4W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 496pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 42pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 漏源电压（VDS） = 30V
- 栅源电压（VGS）为10V、漏源电流（IDS）为5.8A时，导通电阻（RDS(ON)） = 38mΩ
- 栅源电压（VGS）为4.5V、漏源电流（IDS）为5.0A时，导通电阻（RDS(ON)） = 43mΩ
- 栅源电压（VGS）为2.5V、漏源电流（IDS）为4.0A时，导通电阻（RDS(ON)） = 62mΩ
- 我们声明产品材料符合RoHS要求且无卤。
- 产品型号前缀为“S”适用于汽车及其他需要特定产地和管控变更要求的应用；通过AEC-Q101认证，可提供生产件批准程序（PPAP）文件。
- 采用先进的沟槽工艺技术
- 高密度单元设计，实现超低导通电阻
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